MG12400D-BN2MM

MG12400D-BN2MM
Mfr. #:
MG12400D-BN2MM
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
IGBT Modules 1200V 400A Dual
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
MG12400D-BN2MM Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
MG12400D-BN2MM Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Littelfuse
Produktkategorie:
IGBT-Module
RoHS:
Y
Produkt:
IGBT Silizium Module
Aufbau:
Dual
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
1200 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
1.7 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
580 A
Gate-Emitter-Leckstrom:
400 nA
Pd - Verlustleistung:
1925 W
Paket / Koffer:
Paket D
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 125 C
Verpackung:
Schüttgut
Serie:
MG12400D
Marke:
Littelfuse
Montageart:
Chassishalterung
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Produktart:
IGBT-Module
Werkspackungsmenge:
60
Unterkategorie:
IGBTs
Gewichtseinheit:
10.053079 oz
Tags
MG124, MG12, MG1
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
Igbt Module, Dual Npn, 1.2Kv, 580A
***i-Key
IGBT MODULE 1200V 580A 1925W D3
***
1200V 400A D-PACKAGE
Silicon IGBT Power Modules
Littelfuse Silicon IGBT Power Modules ensure high efficiency and fast switching by combining simple MOSFET gate-drive with the high current and low saturation voltage switching capability of bipolar transistors. These features make them well-suited for a wide range of power conversion applications. In addition, the positive temperature coefficient of the modules allows for ease in paralleling to boost the current capability of the system. The modules are rated up to 1700V and 600A in industry standard packages and common topologies.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
MG12400D-BN2MM
DISTI # F6484-ND
Littelfuse IncIGBT 1200V 580A 1925W PKG D
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
47In Stock
  • 25:$168.7760
  • 10:$174.5560
  • 1:$182.6500
MG12400D-BN2MM
DISTI # 576-MG12400D-BN2MM
Littelfuse IncIGBT Modules 1200V 400A Dual
RoHS: Compliant
0
  • 60:$167.6100
MG12400D-BN2MMLittelfuse Inc 42
    MG12400D-BN2MM
    DISTI # MG12400D-BN2MM
    Littelfuse IncIGBT half-bridge,Urmax:1.2kV,Ic:400A,Ifsm:800A,package D9
    • 1:$189.7500
    • 3:$176.0000
    • 10:$155.0000
    MG12400D-BN2MMLittelfuse IncIGBT Modules 1200V 400A DualAmericas -
      Bild Teil # Beschreibung
      MG12400D-BN2MM

      Mfr.#: MG12400D-BN2MM

      OMO.#: OMO-MG12400D-BN2MM

      IGBT Modules 1200V 400A Dual
      MG12400D-BN2MM

      Mfr.#: MG12400D-BN2MM

      OMO.#: OMO-MG12400D-BN2MM-LITTELFUSE

      IGBT Modules 1200V 400A Dual
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      5000
      Menge eingeben:
      Der aktuelle Preis von MG12400D-BN2MM dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
      Referenzpreis (USD)
      Menge
      Stückpreis
      ext. Preis
      60
      167,61 $
      10 056,60 $
      Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
      Beginnen mit
      Neueste Produkte
      Top