PMDT290UCEH

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-666-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

800 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

380 mOhms, 850 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

0.5 V, - 1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

0.68 nC, 1.14 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1090 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

Nexperia

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.6 S, 610 mS

Abfallzeit:

31 ns, 72 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4 ns, 30 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

86 ns, 80 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns, 18 ns

Tags

PMDT290UCE, PMDT290UC, PMDT2, PMDT, PMD