SP8M6FRATB

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5 A, 3.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

36 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

3.9 nC, 5.5 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

5 ns, 10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8 ns, 15 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22 ns, 35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns, 10 ns

Teil # Aliase:

SP8M6FRA

Tags

SP8M6, SP8M, SP8