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IXTT02N450HV

IXTT02N450HV
Mfr. #:
IXTT02N450HV
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXTT02N450HV Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXTT02N450HV Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
IXYS
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Serie
IXTT02N450
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
0.229281 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
TO-268-2
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
113 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
143 ns
Anstiegszeit
48 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
200 mA
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
4500 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
4 V to 6.5 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
750 Ohms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
28 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
17 ns
Qg-Gate-Ladung
10.4 nC
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
100 mS
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
IXTT, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ure Electronics
Single N-Channel 4500 V 625 Ohm 10.6 nC 113 W Silicon SMT Mosfet - TO-268
***i-Key
MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268
4500V High Voltage Power MOSFETs
IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 200mA to 2A. They are specifically designed to address demanding, fast-switching power conversion applications requiring very high blocking voltages up to 4.5kV.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXTT02N450HV
DISTI # IXTT02N450HV-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		On Order
  • 510:$15.4000
  • 120:$17.3800
  • 30:$18.7000
  • 10:$20.3500
  • 1:$22.0000
IXTT02N450HV
DISTI # 747-IXTT02N450HV		IXYS CorporationMOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET
RoHS: Compliant		0
  • 1:$22.0000
  • 5:$20.9000
  • 10:$20.3500
  • 25:$18.7000
  • 50:$17.9000
  • 100:$17.3800
  • 250:$15.9500
  • 500:$15.1800
Bild Teil # Beschreibung
IXTT02N450HV

Mfr.#: IXTT02N450HV

OMO.#: OMO-IXTT02N450HV

 MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET
IXTT02N450HV

Mfr.#: IXTT02N450HV

OMO.#: OMO-IXTT02N450HV-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET
Verfügbarkeit
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Available
Auf Bestellung:
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Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
22,77 $
22,77 $
10
21,63 $
216,32 $
100
20,49 $
2 049,30 $
500
19,35 $
9 677,25 $
1000
18,22 $
18 216,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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