BC237BRL1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

45 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

50 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.2 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

200 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

BC237B

Höhe:

5.33 mm

Länge:

5.2 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

4.19 mm

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

200

Pd - Verlustleistung:

350 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

BC237BR, BC237B, BC237, BC23, BC2