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RGT8NS65DGC9

RGT8NS65DGC9
Mfr. #:
RGT8NS65DGC9
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Beschreibung:
IGBT Transistors IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
RGT8NS65DGC9 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
RGT8NS65DGC9 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ROHM Halbleiter
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Paket / Koffer:
TO-262-3
Montageart:
Durchgangsloch
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
650 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
1.65 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
30 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
8 A
Pd - Verlustleistung:
65 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Verpackung:
Rohr
Marke:
ROHM Halbleiter
Gate-Emitter-Leckstrom:
200 nA
Produktart:
IGBT-Transistoren
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
IGBTs
Teil # Aliase:
RGT8NS65D(TO-262)
Tags
RGT8N, RGT8, RGT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS Tube
***p One Stop Global
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW Tube
***
IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
***ark
Igbt, 650V, 8A, 175Deg C, 65W; Dc Collector Current:8A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.65V; Power Dissipation Pd:65W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:650V; Transistor Case Style:to-262; No. Of Pins:3Pins; Operatingrohs Compliant: Yes
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. IGBT, 650V, 8A, 175DEG C, 65W; DC Collector Current:8A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.65V; Power Dissipation Pd:65W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
***nell
IGBT, 650V, 8A, 175°C, 65W; Corrente di Collettore CC:8A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on):1.65V; Dissipazione di Potenza Pd:65W; Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo:650V; Modello Case Transistor:TO-262; No. di Pin:3Pin; Temperatura di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):MSL 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (15-Jan-2019)
Field Stop Trench IGBTs
ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy saving high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit withstand time, and built-in very fast & soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioner, welder, and general inverters for industrial use.
Bild Teil # Beschreibung
RGT8NS65DGC9

Mfr.#: RGT8NS65DGC9

OMO.#: OMO-RGT8NS65DGC9

 IGBT Transistors IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
RGT8NS65DGTL

Mfr.#: RGT8NS65DGTL

OMO.#: OMO-RGT8NS65DGTL

 IGBT Transistors 650V 4A IGBT Stop Trench
RGT8NS65DGTL

Mfr.#: RGT8NS65DGTL

OMO.#: OMO-RGT8NS65DGTL-ROHM-SEMI

 IGBT Transistors 650V 4A Field Stop Trench IGBT
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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1
1,72 $
1,72 $
10
1,47 $
14,70 $
100
1,17 $
117,00 $
500
1,02 $
510,00 $
1000
0,85 $
852,00 $
2500
0,79 $
1 982,50 $
5000
0,76 $
3 820,00 $
10000
0,74 $
7 350,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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