STY34NB50

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

Max247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

34 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

130 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

450 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.3 mm

Länge:

15.9 mm

Serie:

STY34NB50

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

5.3 mm

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

27 S

Abfallzeit:

53 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

32 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Einschaltverzögerungszeit:

46 ns

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

STY34NB, STY34, STY3, STY