QSZ3TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Polarität des Transistors:

NPN, PNP

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

12 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

15 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

3 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

280 MHz

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

270 at 500 mA, 2 V

Höhe:

0.85 mm

Länge:

2.9 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.6 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

270 at 500 mA, 2 V

Pd - Verlustleistung:

1250 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

QSZ3

Tags

QSZ3, QSZ