SI7463ADP-T1-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAK-SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

46 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

10 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

96 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

39 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.04 mm

Länge:

6.15 mm

Serie:

SI7

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

5.15 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

40 S

Abfallzeit:

11 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

14 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

56 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Tags

SI7463ADP-T, SI7463AD, SI7463A, SI7463, SI746, SI74, SI7