HUF76633P3-F085

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

38 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

35 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Qg - Gate-Ladung:

67 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

145 W

Aufbau:

Single

Handelsname:

UltraFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

16.3 mm

Länge:

10.67 mm

Serie:

HUF76633P3_F085

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.7 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

58 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

110 ns

Werkspackungsmenge:

400

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

43 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Teil # Aliase:

HUF76633P3_F085

Gewichtseinheit:

0.063493 oz

Tags

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