EMD5DXV6T1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren – vorgespannt

RoHS:

Y

Aufbau:

Dual

Polarität des Transistors:

NPN, PNP

Typischer Eingangswiderstand:

47 kOhms

Typisches Widerstandsverhältnis:

1, 0.47

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-553-5

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

80

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

50 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.1 A

Spitzen-DC-Kollektorstrom:

100 mA

Pd - Verlustleistung:

357 mW

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Verpackung:

Spule

DC-Stromverstärkung hFE Max:

80

Höhe:

0.55 mm

Länge:

1.6 mm

Breite:

1.2 mm

Marke:

ON Semiconductor

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Produktart:

BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000099 oz

Tags

EMD5D, EMD5, EMD