BSL205NH6327XTSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOP-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

39 mOhms, 39 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

600 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

3.2 nC, 3.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

3 mm

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

1.5 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

8.6 S, 8.6 S

Abfallzeit:

2.4 ns, 2.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.9 ns, 2.9 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

11 ns, 11 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.8 ns, 5.8 ns

Teil # Aliase:

BSL205N H6327 SP001100646

Gewichtseinheit:

0.000526 oz

Tags

BSL205, BSL20, BSL2, BSL