IPB110P06LMATMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

- 60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

- 100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

- 2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

- 281 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

300 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

IPB06P001

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

100 S

Abfallzeit:

74 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

33 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

277 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

22 ns

Teil # Aliase:

IPB110P06LM SP004987252

Tags

IPB110, IPB11, IPB1, IPB