2SB1201S-E

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Polarität des Transistors:

NPN, PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

50 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

60 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

150 mV, - 300 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

4 A, - 4 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

150 MHz

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

2SB1201

Verpackung:

Schüttgut

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

2 A

Pd - Verlustleistung:

800 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

2SB1201S, 2SB1201, 2SB120, 2SB12, 2SB1, 2SB