KSD1691GSTU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-126-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

60 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

60 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

5 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

KSD1691

DC-Stromverstärkung hFE Max:

200 at 2 A, 1 V

Höhe:

11 mm

Länge:

8 mm

Verpackung:

Rohr

Breite:

3.25 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

200 at 2 A, 1 V

Pd - Verlustleistung:

1300 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1920

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.026843 oz

Tags

KSD1691, KSD169, KSD16, KSD1, KSD