ZXT13N20DE6TC

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-6

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

20 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

50 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7.5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

170 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

4.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

96 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

250 at 10 mA, 2 V

Höhe:

1.3 mm

Länge:

3.1 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.8 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

4.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

250 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 200 at 5 A, 2 V, 15 at 15 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

1.1 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000229 oz

Tags

ZXT13N20DE6T, ZXT13N2, ZXT13N, ZXT13, ZXT1, ZXT