FMV07N50E

FMV07N50E
Mfr. #:
FMV07N50E
Hersteller:
Fuji Electric Co Ltd
Beschreibung:
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
FMV07N50E Datenblatt
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FMV07, FMV0, FMV
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Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
FMV07N50E-P
DISTI # FE0000000001060
Fuji Electric Co LtdPower Field-Effect Transistor,6.5AI(D),500V,0.85ohm, 1-Element,N-Channel,Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET,TO-220AB
RoHS: Compliant
0 in Stock0 on Order
  • 500:$0.5000
  • 1:$0.5385
FMV07N50E-S25PP-P
DISTI # FE0000000004682
Fuji Electric Co LtdMOSFET
RoHS: Compliant
0 in Stock0 on Order
    Bild Teil # Beschreibung
    FMV03N60E

    Mfr.#: FMV03N60E

    OMO.#: OMO-FMV03N60E-1190

    Power Field-Effect Transistor, 3A I(D),600V,2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET, TO-220AB
    FMV06N60E

    Mfr.#: FMV06N60E

    OMO.#: OMO-FMV06N60E-1190

    Power Field-Effect Transistor, 6A I(D),600V,1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET, TO-220AB
    FMV06N90E

    Mfr.#: FMV06N90E

    OMO.#: OMO-FMV06N90E-1190

    Neu und Original
    FMV06N90ESC

    Mfr.#: FMV06N90ESC

    OMO.#: OMO-FMV06N90ESC-1190

    Neu und Original
    FMV07N65E

    Mfr.#: FMV07N65E

    OMO.#: OMO-FMV07N65E-1190

    Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 900V,1ohm,1-Element, N-Channel, Silicon,Metal-oxideSemiconductor FET
    FMV08N50E/08N50E

    Mfr.#: FMV08N50E/08N50E

    OMO.#: OMO-FMV08N50E-08N50E-1190

    Neu und Original
    FMV08N60

    Mfr.#: FMV08N60

    OMO.#: OMO-FMV08N60-1190

    Neu und Original
    FMV08N80E

    Mfr.#: FMV08N80E

    OMO.#: OMO-FMV08N80E-1190

    Power Field-Effect Transistor, 23AI(D),500V,0.245ohm, 1-Element,N-Channel,Silicon,Metal-oxide Semiconductor FET
    FMV09N90E

    Mfr.#: FMV09N90E

    OMO.#: OMO-FMV09N90E-1190

    Neu und Original
    FMV001S107K

    Mfr.#: FMV001S107K

    OMO.#: OMO-FMV001S107K-700

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