SQ4184EY-T1_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

29 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

110 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

7.1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Serie:

SQ

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

78 S

Abfallzeit:

15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

30 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

43 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

SQ4184, SQ418, SQ41, SQ4