DMP2008UFG-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerDI3333-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

14 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

72 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.4 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMP2008

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

124 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

33 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

291 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

22 ns

Tags

DMP2008, DMP200, DMP20, DMP2, DMP