2N5202 PBFREE

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-66-2

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

50 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

100 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1.2 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 200 C

Serie:

2N52

DC-Stromverstärkung hFE Max:

100 at 4 A, 1.2 V

Verpackung:

Rohr

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

4 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

10 at 4 A, 1.2 V

Pd - Verlustleistung:

35 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2N520, 2N52, 2N5