BSS84P H6433

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

170 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.8 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

1.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

360 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

2.9 mm

Serie:

BSS84

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.3 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

65 mS

Abfallzeit:

20.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16.2 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

8.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.7 ns

Teil # Aliase:

BSS84PH6433XT BSS84PH6433XTMA1 SP000924084

Gewichtseinheit:

0.001764 oz

Tags

BSS84PH6, BSS84PH, BSS84P, BSS84, BSS8, BSS