DMN30H14DLY-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-89-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

300 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

210 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PowerDI

Verpackung:

Spule

Serie:

DMN30

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8.6 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.3 ns

Gewichtseinheit:

0.004603 oz

Tags

DMN30H, DMN30, DMN3, DMN