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IXTH180N10T

IXTH180N10T
Mfr. #:
IXTH180N10T
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXTH180N10T Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXTH180N10T DatasheetIXTH180N10T Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXTH180N10T Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
180 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
6.4 mOhms
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
480 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HiPerFET
Verpackung:
Rohr
Höhe:
21.46 mm
Länge:
16.26 mm
Serie:
IXTH180N10
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
5.3 mm
Marke:
IXYS
Abfallzeit:
31 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
54 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
42 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
33 ns
Gewichtseinheit:
0.229281 oz
Tags
IXTH18, IXTH1, IXTH, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 100V 180A TO-247
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXTH180N10T
DISTI # IXTH180N10T-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 100V 180A TO-247
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		165In Stock
  • 2520:$2.2540
  • 510:$2.6726
  • 120:$3.3005
  • 30:$3.6227
  • 10:$4.0250
  • 1:$4.5100
IXTH180N10T
DISTI # 747-IXTH180N10T		IXYS CorporationMOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
RoHS: Compliant		0
  • 30:$4.0300
  • 60:$3.9500
  • 120:$3.8000
  • 270:$3.2400
  • 510:$3.0700
  • 1020:$2.5900
  • 2520:$2.2200
Bild Teil # Beschreibung
IXTH150N15X4

Mfr.#: IXTH150N15X4

OMO.#: OMO-IXTH150N15X4

 MOSFET DISCMSFT NCH HIPERFET-Q CLASS
IXTH1N200P3

Mfr.#: IXTH1N200P3

OMO.#: OMO-IXTH1N200P3

 MOSFET 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247
IXTH12N65X2

Mfr.#: IXTH12N65X2

OMO.#: OMO-IXTH12N65X2

 MOSFET DISCMSFT NCHULTRAJNCTN X2CLASS
IXTH102N20T

Mfr.#: IXTH102N20T

OMO.#: OMO-IXTH102N20T

 MOSFET 102 Amps 200V 22 Rds
IXTH14N80

Mfr.#: IXTH14N80

OMO.#: OMO-IXTH14N80

 MOSFET 14 Amps 800V 0.7 Rds
IXTH160N075T

Mfr.#: IXTH160N075T

OMO.#: OMO-IXTH160N075T-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 75V 160A TO-247
IXTH16P60

Mfr.#: IXTH16P60

OMO.#: OMO-IXTH16P60-1190

 Neu und Original
IXTH152N085T

Mfr.#: IXTH152N085T

OMO.#: OMO-IXTH152N085T-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 85V 152A TO-247
IXTH14N80

Mfr.#: IXTH14N80

OMO.#: OMO-IXTH14N80-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 14 Amps 800V 0.7 Rds
IXTH102N25T

Mfr.#: IXTH102N25T

OMO.#: OMO-IXTH102N25T-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 102 Amps 250V 29 Rds
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
2500
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Der aktuelle Preis von IXTH180N10T dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
30
5,00 $
150,00 $
60
4,90 $
294,00 $
120
4,71 $
565,20 $
270
4,02 $
1 085,40 $
510
3,82 $
1 948,20 $
1020
3,22 $
3 284,40 $
2520
2,76 $
6 955,20 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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