CPH3355-TL-W

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

156 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

120 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

CPH3355

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.9 S

Entwicklungs-Kit:

-

Abfallzeit:

10.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.2 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.5 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

CPH3355, CPH335, CPH33, CPH3, CPH