NDUL09N150CG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-3PF-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.5 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

114 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

78 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

5.2 S

Abfallzeit:

111 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

75 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

500 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

33 ns

Gewichtseinheit:

0.245577 oz

Tags

NDUL, NDU