DMG8601UFG-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

U-DFN3030-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

17 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

350 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

8.8 nC, 8.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

920 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMG8601

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

234 ns, 234 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

78 ns, 78 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

562 ns, 562 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

53 ns, 53 ns

Gewichtseinheit:

0.000423 oz

Tags

DMG8, DMG