PN3565 TIN/LEAD

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

25 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

30 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.35 V

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

240 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

PN35

DC-Stromverstärkung hFE Max:

600 at 1 mA, 10 V

Verpackung:

Schüttgut

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

50 mA

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

150 at 1 mA, 10 V

Pd - Verlustleistung:

625 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

PN3565, PN356, PN35, PN3