FDP8443-F085

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

80 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.5 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

188 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PowerTrench

Verpackung:

Rohr

Höhe:

16.3 mm

Länge:

10.67 mm

Serie:

FDP8443_F085

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Power Trench MOSFET

Breite:

4.7 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

13.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

17.9 ns

Werkspackungsmenge:

400

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

55 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

18.4 ns

Teil # Aliase:

FDP8443_F085

Gewichtseinheit:

0.063493 oz

Tags

FDP8443, FDP84, FDP8, FDP