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SI8401DB-T1-E3

SI8401DB-T1-E3
Mfr. #:
SI8401DB-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI8401DB-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI8401DB-E3
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
MicroFoot-4
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 P-Channel
Pd-Verlustleistung
1.47 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
28 ns
Anstiegszeit
28 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
12 V
ID-Dauer-Drain-Strom
3.6 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 20 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
65 mOhms
Transistor-Polarität
P-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
88 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
17 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI8401DB-T, SI8401D, SI8401, SI840, SI84, SI8
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI8401DB-T1-E3
DISTI # SI8401DB-T1-E3-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$1.0989
SI8401DB-T1-E3
DISTI # SI8401DB-T1-E3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 4-Pin Micro Foot T/R - Tape and Reel (Alt: SI8401DB-T1-E3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$1.0769
  • 6000:$1.0449
  • 12000:$1.0019
  • 18000:$0.9739
  • 30000:$0.9479
SI8401DB-T1-E3
DISTI # 06J8195		Vishay IntertechnologiesP CHANNEL MOSFET, -20V, 3.6A, MICRO FOOT, FULL REEL,Transistor Polarity:P Channel,Continuous Drain Current Id:-3.6A,Drain Source Voltage Vds:-20V,On Resistance Rds(on):65mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V,No. of Pins:4Pins , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$1.0000
  • 3000:$1.0000
SI8401DB-T1-E3
DISTI # 70026294		Vishay SiliconixP-CHANNEL 20V (D-S) MOSFET
RoHS: Compliant		0
  • 3000:$1.1500
  • 6000:$1.0700
  • 9000:$1.0000
SI8401DB-T1-E3
DISTI # 781-SI8401DB-T1-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
RoHS: Compliant		0
  • 1:$2.3000
  • 10:$1.9100
  • 100:$1.4800
  • 500:$1.3000
  • 1000:$1.0800
  • 3000:$1.0000
SI8401DB-T1
DISTI # 781-SI8401DB		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 4.9A 1.47W
RoHS: Not compliant		0
    SI8401DB-T1-E3Vishay Siliconix 1520
    • 3:$1.8000
    • 13:$1.3500
    • 39:$1.1250
    • 135:$0.6750
    • 446:$0.6300
    • 1192:$0.5940
    SI8401DB-T1-E3Vishay BLH 163
    • 3:$1.8000
    • 13:$1.3500
    • 39:$1.1250
    • 135:$0.6750
    SI8401DB-T1-E3Vishay Siliconix 2970
      SI8401DB-T1-E3Vishay Intertechnologies 3000
        SI8401DB-T1-E3Vishay Siliconix3600 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET233
        • 130:$1.0503
        • 49:$1.1670
        • 1:$2.3340
        SI8401DB-T1-E3Vishay Siliconix3600 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET1216
        • 770:$0.7500
        • 358:$0.7800
        • 1:$2.4000
        SI8401DB-T1-E3Vishay Intertechnologies3600 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET130
        • 51:$0.9000
        • 15:$1.5000
        • 1:$2.4000
        SI8401DB-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
        RoHS: Compliant        		Americas -
          SI8401DB-T1-E3
          DISTI # 1612653          		Vishay IntertechnologiesMOSFET, N, MICRO FOOT
          RoHS: Compliant          		0
          • 1:$3.6500
          • 10:$3.0300
          • 100:$2.3500
          • 500:$2.0600
          • 1000:$1.7200
          • 3000:$1.5900
          Bild Teil # Beschreibung
          SI8401DB-T1-E3

          Mfr.#: SI8401DB-T1-E3

          OMO.#: OMO-SI8401DB-T1-E3

          		 MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
          SI8401DB-T1-E1

          Mfr.#: SI8401DB-T1-E1

          OMO.#: OMO-SI8401DB-T1-E1

          		 MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
          SI8401DB-T1-E3

          Mfr.#: SI8401DB-T1-E3

          OMO.#: OMO-SI8401DB-T1-E3-VISHAY

          		 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
          SI8401DB-T1-E1

          Mfr.#: SI8401DB-T1-E1

          OMO.#: OMO-SI8401DB-T1-E1-VISHAY

          		 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.9A 2.77W 65mohm @ 4.5V
          SI8401DB

          Mfr.#: SI8401DB

          OMO.#: OMO-SI8401DB-1190

          		 Neu und Original
          SI8401DB-T1

          Mfr.#: SI8401DB-T1

          OMO.#: OMO-SI8401DB-T1-1190

          		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI8401DB-T1-E1
          Verfügbarkeit
          Aktie:
          Available
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          0,89 $
          10
          0,85 $
          8,46 $
          100
          0,80 $
          80,19 $
          500
          0,76 $
          378,70 $
          1000
          0,71 $
          712,80 $
          Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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