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RN1106MFV(TPL3)

RN1106MFV(TPL3)
Mfr. #:
RN1106MFV(TPL3)
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
RN1106MFV(TPL3) Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Bipolartransistoren – vorgespannt
RoHS:
N
Aufbau:
Single
Polarität des Transistors:
NPN
Typischer Eingangswiderstand:
4.7 kOhms
Typisches Widerstandsverhältnis:
0.1
Montageart:
SMD/SMT
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
80
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
50 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
100 mA
Spitzen-DC-Kollektorstrom:
100 mA
Pd - Verlustleistung:
150 mW
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
RN1106MFV
Verpackung:
Spule
DC-Stromverstärkung hFE Max:
80
Marke:
Toshiba
Produktart:
BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt
Werkspackungsmenge:
8000
Unterkategorie:
Transistoren
Tags
RN1106MFV(T, RN1106M, RN1106, RN110, RN11, RN1
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Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
RN1106MFV(TPL3)
DISTI # 757-RN1106MFV(TPL3)		Toshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
RoHS: Not compliant		0
    RN1106MFV(TPL3)
    DISTI # 580070    		Toshiba America Electronic ComponentsTR.+VIASRES. NPN VCEO=50V IC=150MA VESM, PK150
    • 50:£0.0480
    • 100:£0.0320
    • 250:£0.0320
    • 500:£0.0310
    • 1000:£0.0300
    Bild Teil # Beschreibung
    RN1106MFV(TPL3)

    Mfr.#: RN1106MFV(TPL3)

    OMO.#: OMO-RN1106MFV-TPL3-

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
    RN1106MFV(TPL3)

    Mfr.#: RN1106MFV(TPL3)

    OMO.#: OMO-RN1106MFV-TPL3--123

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
    RN1106MFVL3XGF

    Mfr.#: RN1106MFVL3XGF

    OMO.#: OMO-RN1106MFVL3XGF-1190

    		 Neu und Original
    RN1106MFV(TL3T)CT-ND

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    Available
    Auf Bestellung:
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