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TK290A65Y,S4X

TK290A65Y,S4X
Mfr. #:
TK290A65Y,S4X
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK290A65Y,S4X Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK290A65Y,S4X DatasheetTK290A65Y,S4X Datasheet (P4-P6)TK290A65Y,S4X Datasheet (P7-P9)TK290A65Y,S4X Datasheet (P10)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TK290A65Y,S4X Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220SIS-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
650 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
11.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
230 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
25 nC
Minimale Betriebstemperatur:
-
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
35 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
DTMOSV
Verpackung:
Rohr
Serie:
TK290A65Y
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
8.5 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
25 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
170 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
65 ns
Gewichtseinheit:
0.068784 oz
Tags
TK290A, TK290, TK29, TK2
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ark
X35 Pb-F Power Mosfet Transistor To-220Sis Pd=35W F=1Mhz Rohs Compliant: Yes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
***et
Power MOSFET N-Channel 650V 11.5A 3-Pin SC-67 Tube
***i-Key
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS
DTMOS V Super Junction MOSFETs
Toshiba DTMOS V Super Junction MOSFETs are the next generation of N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOS V operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On Resistance RDS(ON) compared to the DTMOS IV MOSFETs. The DTMOS V has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of RDS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOS V Super Junction MOSFETs are ideal to improve the performance, and facilitate the design of power conversion applications. Applications that include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting. Learn More
Bild Teil # Beschreibung
L6562ADTR

Mfr.#: L6562ADTR

OMO.#: OMO-L6562ADTR

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OMO.#: OMO-3049-KEYSTONE-ELECTRONICS

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OMO.#: OMO-MCP1703AT-3302E-MB-MICROCHIP-TECHNOLOGY

 LDO Voltage Regulators LOW Iq, High Vin LDO 3.3V, SOT-89
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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10
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12,50 $
100
1,00 $
100,00 $
500
0,88 $
438,00 $
1000
0,72 $
725,00 $
2500
0,68 $
1 690,00 $
5000
0,65 $
3 255,00 $
10000
0,62 $
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