BD1396S

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-126-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

80 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

80 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1.5 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

250

Höhe:

1.5 mm

Länge:

8 mm

Verpackung:

Schüttgut

Breite:

3.25 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

40

Pd - Verlustleistung:

12.5 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.026843 oz

Tags

BD139, BD13, BD1