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IXGT25N160

IXGT25N160
Mfr. #:
IXGT25N160
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
IGBT Transistors 75 Amps 1600V 2.5 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXGT25N160 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXGT25N160 DatasheetIXGT25N160 Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Paket / Koffer:
TO-268-3
Montageart:
SMD/SMT
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
1600 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
2.5 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
IXGT25N160
Verpackung:
Rohr
Kontinuierlicher Kollektorstrom Ic Max:
75 A
Höhe:
5.1 mm
Länge:
16.05 mm
Breite:
14 mm
Marke:
IXYS
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
75 A
Produktart:
IGBT-Transistoren
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
IGBTs
Gewichtseinheit:
0.158733 oz
Tags
IXGT2, IXGT, IXG
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
*** Electronics
Trans IGBT Chip N-CH 1.6KV 75A 3-Pin(2+Tab) TO-268
***i-Key
IGBT 1600V 75A 300W TO268
***th Star Micro
IGBT 1600V 75A TO-268
***el Nordic
Contact for details
***ure Electronics
APT25GR120 Series 1200 V 75 A 521 W Field Stop - Trench Gate IGBT - TO-268-3
***et
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 3-Pin D3PAK
*** Stop Electro
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 521000mW 3-Pin(2+Tab) D3PAK
***ure Electronics
APT25GR120Sx Series 1200 V 75 A Surface Mount Ultra Fast NPT IGBT® - D3PAK
*** Stop Electro
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 80A 360000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
***ure Electronics
IXBT Series 1700 Vce 75 A 45 ns t(on) Bipolar MOS Transistor - TO-268
***i-Key
IGBT 1700V 80A 360W TO268
***el Nordic
Contact for details
***ure Electronics
APT25GR120Sx Series 1200 V 75 A Surface Mount Ultra Fast NPT IGBT® - D3PAK
***i-Key
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
***hardson RFPD
SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 12A 75000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
***i-Key
IGBT 1700V 12A 75W TO268
***ure Electronics
IGBT Transistors 12 Amps 1700V 3.6 Rds
***S
new, original packaged
***el Nordic
Contact for details
***enic
TO-268 IGBTs ROHS
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 20A 85000mW 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
***ark
Xpt Igbt Copack, 1200V, 20A, To-268Aa
***nell
IGBT,1200V,20A,TO-268AA; DC Collector Current: 20A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.1V; Power Dissipation Pd: 85W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-268AA; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (12-Jan-2017); Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Power Dissipation Max: 85W; Transistor Type: IGBT
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXGT25N160
DISTI # IXGT25N160-ND		IXYS CorporationIGBT 1600V 75A 300W TO268
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$10.8780
IXGT25N160
DISTI # 747-IXGT25N160		IXYS CorporationIGBT Transistors 75 Amps 1600V 2.5 Rds
RoHS: Compliant		0
  • 1:$12.3200
  • 10:$11.2000
  • 25:$10.3600
  • 50:$9.7600
  • 100:$9.5200
  • 250:$8.6800
  • 500:$8.1200
Bild Teil # Beschreibung
IXGT25N160

Mfr.#: IXGT25N160

OMO.#: OMO-IXGT25N160

 IGBT Transistors 75 Amps 1600V 2.5 Rds
IXGT20N 60B

Mfr.#: IXGT20N 60B

OMO.#: OMO-IXGT20N-60B

 IGBT Transistors 40 Amps 600 V 2.0 V Rds
IXGT24N60C

Mfr.#: IXGT24N60C

OMO.#: OMO-IXGT24N60C

 IGBT Transistors 48 Amps 600V 2.3 Rds
IXGT24N60

Mfr.#: IXGT24N60

OMO.#: OMO-IXGT24N60-1190

 Neu und Original
IXGT28N120BD1

Mfr.#: IXGT28N120BD1

OMO.#: OMO-IXGT28N120BD1-IXYS-CORPORATION

 IGBT 1200V 50A 250W TO268
IXGT28N60B

Mfr.#: IXGT28N60B

OMO.#: OMO-IXGT28N60B-IXYS-CORPORATION

 IGBT 600V 40A 150W TO268
IXGT20N 60BD1

Mfr.#: IXGT20N 60BD1

OMO.#: OMO-IXGT20N-60BD1-126

 IGBT Transistors 40 Amps 600 V 2.0 V Rds
IXGT24N60B

Mfr.#: IXGT24N60B

OMO.#: OMO-IXGT24N60B-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors 48 Amps 600 V 1.7 V Rds
IXGT24N170A

Mfr.#: IXGT24N170A

OMO.#: OMO-IXGT24N170A-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors 24 Amps 1200 V 5 V Rds
IXGT24N170

Mfr.#: IXGT24N170

OMO.#: OMO-IXGT24N170-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors 24 Amps 1200 V 3.3 V Rds
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
5500
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Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
12,32 $
12,32 $
10
11,20 $
112,00 $
25
10,36 $
259,00 $
50
9,76 $
488,00 $
100
9,52 $
952,00 $
250
8,68 $
2 170,00 $
500
8,12 $
4 060,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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