SSM3K56CT,L3F

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

CST3-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

800 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

186 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

400 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

1 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.38 mm

Länge:

1 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

0.6 mm

Marke:

Toshiba

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

8.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.5 ns

Tags

SSM3K56C, SSM3K56, SSM3K5, SSM3K, SSM3, SSM