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TGF2060

TGF2060
Mfr. #:
TGF2060
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBm
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TGF2060 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TGF2060 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
pHEMT
Technologie:
GaAs
Gewinnen:
12 dB
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
8 V
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
- 3 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
194 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
2.1 W
Montageart:
SMD/SMT
Verpackung:
Gel-Pack
Aufbau:
Single
Arbeitsfrequenz:
20 GHz
Betriebstemperaturbereich:
- 65 C to + 150 C
Produkt:
HF-JFET
Serie:
TGF
Typ:
GaAs pHEMT
Marke:
Qorvo
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
232 mS
NF - Rauschzahl:
1.4 dB
P1dB - Kompressionspunkt:
28 dBm
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
100
Unterkategorie:
Transistoren
Teil # Aliase:
1098619
Tags
TGF20, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
Transistor, DC- 20 GHz, 28 dBm, 12 dB, 1.4 dB NF, 8V, DIE
Triquint GaAs pHEMt Low Noise Amplifiers
TriQuint offers a wide variety of discrete transistor components using TriQuint's state-of-the-art ultra-low-noise 0.13µm pHEMT and 0.25µm E-pHEMT processes. These discrete devices allow customers full control when designing the circuits of low noise amplifiers (LNAs). The various discrete FETs offer NFmin as low as 0.15 dB and are usable up to 22 GHz. Matched pair transistors are also available and are ideal for balanced LNA designs.Learn More
TGF2040/60 Discrete GaAs pHEMTs
Qorvo TGF2040 400µm Discrete GaAs pHEMT and TGF2060 600µm Discrete GaAs pHEMT operate from DC to 20GHz and are designed to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions. TGF2040 pHEMT typically provides 26dBm of output power at P1dB with gain of 13dB and 55% power-added efficiency at 1dB compression while TGF2060 typically provides 28dBm of output power at P1dB with gain of 12dB and 55% power-added efficiency at 1dB compression. Qorvo TGF2040 and TGF2060 pHEMTs are appropriate for high efficiency applications. Theses transistors feature a protective overcoat layer with silicon nitride that provides a level of environmental robustness and scratch protection.Learn More
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TGF2060
DISTI # 772-TGF2060		QorvoRF JFET Transistors DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBm
RoHS: Compliant		100
  • 100:$7.3300
  • 300:$6.8500
  • 500:$6.4000
  • 1000:$5.9800
Bild Teil # Beschreibung
LT1964IS5-5#TRMPBF

Mfr.#: LT1964IS5-5#TRMPBF

OMO.#: OMO-LT1964IS5-5-TRMPBF

 LDO Voltage Regulators 200mA Low Noise Negative LDO
Verfügbarkeit
Aktie:
100
Auf Bestellung:
2083
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100
7,33 $
733,00 $
300
6,85 $
2 055,00 $
500
6,40 $
3 200,00 $
1000
5,98 $
5 980,00 $
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