IXTK82N25P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-264-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

250 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

82 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

35 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

142 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PolarHT

Verpackung:

Rohr

Höhe:

26.59 mm

Länge:

20.29 mm

Serie:

IXTK82N25

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

PolarHT Leistungs-MOSFET

Breite:

5.31 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

30 S

Abfallzeit:

22 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

20 ns

Werkspackungsmenge:

25

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

78 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

29 ns

Gewichtseinheit:

0.352740 oz

Tags

IXTK8, IXTK, IXT