TGF2929-HM

TGF2929-HM
Mfr. #:
TGF2929-HM
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TGF2929-HM Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN SiC
Gewinnen:
17.4 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
50 V
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
- 2.8 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
7.2 A
Ausgangsleistung:
132 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Pd - Verlustleistung:
140 W
Montageart:
SMD/SMT
Verpackung:
Waffel
Aufbau:
Single
Arbeitsfrequenz:
DC to 3.5 GHz
Betriebstemperaturbereich:
- 40 C to + 85 C
Serie:
TGF
Marke:
Qorvo
Entwicklungs-Kit:
TGF2929-HM EVB1
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
25
Unterkategorie:
Transistoren
Teil # Aliase:
1135635
Tags
TGF292, TGF29, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 3.5 GHz, 100 W, 17.4 dB, 28 V, GaN, NI-360 Hermetic
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
TGF2929 GaN RF Power Transistors
Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN on SiC HEMTs that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.Learn More
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TGF2929-HM
DISTI # 772-TGF2929-HM
QorvoRF JFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN
RoHS: Compliant
0
  • 25:$338.4400
TGF2929-HM-EVB
DISTI # 772-TGF2929-HM-EVB
QorvoRF Development Tools
RoHS: Compliant
0
  • 1:$875.0000
Bild Teil # Beschreibung
LMX2592RHAT

Mfr.#: LMX2592RHAT

OMO.#: OMO-LMX2592RHAT

Phase Locked Loops - PLL High Performance RF Synthesizer
74404043033A

Mfr.#: 74404043033A

OMO.#: OMO-74404043033A

Fixed Inductors WE-LQS 4025 3.3uH 3.23A 33mOhms
SQW-120-01-F-D

Mfr.#: SQW-120-01-F-D

OMO.#: OMO-SQW-120-01-F-D

Headers & Wire Housings 2.00 mm FleXYZ Cost-effective Tiger Buy Socket Strip
929870-01-05-RA

Mfr.#: 929870-01-05-RA

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Headers & Wire Housings 5P BRD MNT SKT GOLD 1 ROW 10MICRO" AU
2-179694-3

Mfr.#: 2-179694-3

OMO.#: OMO-2-179694-3

Headers & Wire Housings 2mm MT REC 3P GRY
929870-01-05-RA

Mfr.#: 929870-01-05-RA

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Headers & Wire Housings 5P BRD MNT SKT GOLD 1 ROW 10MICRO" AU
2-179694-3

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Headers & Wire Housings 2mm MT REC 3P GRY
RN73C2A61R9BTDF

Mfr.#: RN73C2A61R9BTDF

OMO.#: OMO-RN73C2A61R9BTDF-TE-CONNECTIVITY-AMP

Thin Film Resistors - SMD RN 0805 61R9 0.1% 10PPM 1KRL
LMX2592RHAT

Mfr.#: LMX2592RHAT

OMO.#: OMO-LMX2592RHAT-TEXAS-INSTRUMENTS

Phase Locked Loops - PLL LMX2592 Wideband Frequency Synthesizer with Integrated VCO 40-VQFN -40 to 85
H81M0BYA

Mfr.#: H81M0BYA

OMO.#: OMO-H81M0BYA-TE-CONNECTIVITY-AMP

Metal Film Resistors - Through Hole H8 1M0 0.1% 15PPM
Verfügbarkeit
Aktie:
25
Auf Bestellung:
2008
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