IXFN26N90

IXFN26N90
Mfr. #:
IXFN26N90
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 900V 26A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFN26N90 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
IXFN26N90
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
1.340411 oz
Montageart
SMD/SMT
Handelsname
HyperFET
Paket-Koffer
SOT-227-4
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single Dual Source
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
600 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
24 ns
Anstiegszeit
35 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
26 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
900 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
300 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
130 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
60 ns
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
28 S
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
IXFN26N, IXFN26, IXFN2, IXFN, IXF
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
Mosfet Transistor, N Channel, 26 A, 900 V, 300 Mohm, 10 V, 5 V Rohs Compliant: Yes
***inecomponents.com
Trans MOSFET N-CH 900V 26A 4-Pin SOT-227B
***ment14 APAC
MOSFET, N, SOT-227B; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:26A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):300mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:600W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:ISOTOP; No. of Pins:3; Avalanche Single Pulse Energy Eas:3J; Current Id Max:26A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Isolation Voltage:2.5kV; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:1; On State Resistance Max:300mohm; Package / Case:ISOTOP; Power Dissipation Pd:600W; Power Dissipation Pd:600W; Pulse Current Idm:104A; Rate of Voltage Change dv / dt:5Vµs; Repetitive Avalanche Energy Max:64mJ; Termination Type:Screw; Voltage Vds Typ:900V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V; Weight:0.044kg
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFN26N90
DISTI # V99:2348_17750909
IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 900V 26A 4-Pin SOT-227B
RoHS: Compliant
0
    IXFN26N90
    DISTI # IXFN26N90-ND
    IXYS CorporationMOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Tube
    175In Stock
    • 100:$26.9864
    • 30:$29.0360
    • 10:$31.5980
    • 1:$34.1600
    IXFN26N90
    DISTI # 14J1685
    IXYS CorporationMOSFET Transistor, N Channel, 26 A, 900 V, 300 mohm, 10 V, 5 V RoHS Compliant: Yes0
      IXFN26N90
      DISTI # 747-IXFN26N90
      IXYS CorporationMOSFET 900V 26A
      RoHS: Compliant
      0
      • 20:$31.6000
      • 30:$29.0400
      • 50:$27.8000
      • 100:$26.9900
      • 200:$24.7700
      IXFN26N90
      DISTI # 4905570
      IXYS CorporationMOSFET, N, SOT-227B
      RoHS: Compliant
      0
      • 250:$37.5200
      • 100:$40.8900
      • 30:$43.9900
      • 10:$47.8700
      • 1:$51.7500
      Bild Teil # Beschreibung
      IXFN230N20T

      Mfr.#: IXFN230N20T

      OMO.#: OMO-IXFN230N20T

      MOSFET 230A 200V
      IXFN40N110Q3

      Mfr.#: IXFN40N110Q3

      OMO.#: OMO-IXFN40N110Q3

      MOSFET
      IXFN180N07

      Mfr.#: IXFN180N07

      OMO.#: OMO-IXFN180N07

      MOSFET 180 Amps 70V 0.007 Rds
      IXFN48N50U3

      Mfr.#: IXFN48N50U3

      OMO.#: OMO-IXFN48N50U3-IXYS-CORPORATION

      MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
      IXFN60N120

      Mfr.#: IXFN60N120

      OMO.#: OMO-IXFN60N120-1190

      Neu und Original
      IXFN61N50

      Mfr.#: IXFN61N50

      OMO.#: OMO-IXFN61N50-1190

      Neu und Original
      IXFN56N90P

      Mfr.#: IXFN56N90P

      OMO.#: OMO-IXFN56N90P-IXYS-CORPORATION

      MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
      IXFN240N25X3

      Mfr.#: IXFN240N25X3

      OMO.#: OMO-IXFN240N25X3-IXYS-CORPORATION

      MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B
      IXFN74N100X

      Mfr.#: IXFN74N100X

      OMO.#: OMO-IXFN74N100X-1190

      MOSFET 1000V 74A ULTRA JUNCTION
      IXFN200N07

      Mfr.#: IXFN200N07

      OMO.#: OMO-IXFN200N07-IXYS-CORPORATION

      MOSFET 70V 200A
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      4000
      Menge eingeben:
      Der aktuelle Preis von IXFN26N90 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
      Referenzpreis (USD)
      Menge
      Stückpreis
      ext. Preis
      1
      37,16 $
      37,16 $
      10
      35,30 $
      352,97 $
      100
      33,44 $
      3 343,95 $
      500
      31,58 $
      15 790,90 $
      1000
      29,72 $
      29 724,00 $
      Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
      Beginnen mit
      Neueste Produkte
      Top