IRF6797MTR1PBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DirectFET-MX

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

210 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.35 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

45 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

89 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.7 mm

Länge:

6.35 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

DirectFET-Leistungs-MOSFET

Breite:

5.05 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

130 S

Abfallzeit:

15 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

32 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

22 ns

Teil # Aliase:

SP001525430

Gewichtseinheit:

0.003527 oz

Tags

IRF679, IRF67, IRF6, IRF