ZVN4306AVSTOA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

450 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

850 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Schüttgut

Höhe:

4.01 mm

Länge:

4.77 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

FET

Breite:

2.41 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

25 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

30 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns

Gewichtseinheit:

0.016000 oz

Tags

ZVN4306AVS, ZVN4306AV, ZVN4306A, ZVN430, ZVN43, ZVN4, ZVN