NVATS68301PZT4G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

ATPAK-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

31 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

57 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

55 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

84 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Serie:

NVATS68301PZ

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

170 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

150 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

250 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

26 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

NVAT, NVA