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SQD45N05-20L-GE3

SQD45N05-20L-GE3
Mfr. #:
SQD45N05-20L-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 50V 45A 75W 18mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SQD45N05-20L-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay / Siliconix
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Serie
SQ-Serie
Verpackung
Spule
Gewichtseinheit
0.050717 oz
Montageart
SMD/SMT
Handelsname
TrenchFET
Paket-Koffer
TO-252-3
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
2.5 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 175 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
7 ns
Anstiegszeit
10 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
50 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
50 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
18 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
32 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
10 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SQD45, SQD4, SQD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 50V 50A TO252
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SQD45N05-20L-GE3
DISTI # SQD45N05-20L-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 50V 50A TO252
RoHS: Compliant
Min Qty: 2000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 2000:$1.8770
SQD45N05-20L-GE3
DISTI # 781-SQD45N05-20L-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 50V 45A 75W 18mohm @ 10V
RoHS: Compliant		0
    Bild Teil # Beschreibung
    SQD45N05-20L-GE3

    Mfr.#: SQD45N05-20L-GE3

    OMO.#: OMO-SQD45N05-20L-GE3-VISHAY

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET 50V 45A 75W 18mohm @ 10V
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    4000
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    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    2,82 $
    2,82 $
    10
    2,67 $
    26,75 $
    100
    2,53 $
    253,40 $
    500
    2,39 $
    1 196,60 $
    1000
    2,25 $
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