2N4232 PBFREE

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-66-2

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

60 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

70 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

2 V

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

4 MHz

Serie:

2N42

DC-Stromverstärkung hFE Max:

100 at 1.5 A, 2 V

Verpackung:

Rohr

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

3 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

25 at 1.5 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

35 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2N4232, 2N423, 2N42, 2N4