SI3424CDV-T1-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOP-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

26 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

8.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3.6 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Serie:

SI3

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

17 S

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

16 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3 ns

Gewichtseinheit:

0.000705 oz

Tags

SI3424, SI342, SI34, SI3