FDC8601

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SSOT-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

109 mOhms

Qg - Gate-Ladung:

3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.6 W

Aufbau:

Single

Handelsname:

PowerTrench

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

FDC8601

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

N-Kanal Power Trench MOSFET

Breite:

1.6 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

5 S

Abfallzeit:

2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

1.3 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

7.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.5 ns

Gewichtseinheit:

0.001270 oz

Tags

FDC8601, FDC860, FDC86, FDC8, FDC