2N6076

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

25 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

25 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.25 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

200 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

2N6076

Höhe:

5.33 mm

Länge:

5.21 mm

Verpackung:

Schüttgut

Breite:

4.19 mm

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.45 A

Pd - Verlustleistung:

625 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

2N6076 PBFREE

Gewichtseinheit:

0.016000 oz

Tags

2N6076, 2N607, 2N60, 2N6