RW1A025APT2CR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-563-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

180 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

300 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

16 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

700 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.65 mm

Länge:

1.7 mm

Produkt:

MOSFET

Serie:

RW1A025AP

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

Leistungs-MOSFET

Breite:

1.4 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3.5 S

Abfallzeit:

60 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

40 ns

Werkspackungsmenge:

8000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

160 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Teil # Aliase:

RW1A025AP

Gewichtseinheit:

0.000106 oz

Tags

RW1A025APT, RW1A025A, RW1A025, RW1A02, RW1A0, RW1A, RW1