FCD900N60Z

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

900 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

13 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Single

Handelsname:

SuperFET II

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.39 mm

Länge:

6.73 mm

Produkt:

MOSFET

Serie:

FCD900N60Z

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4.6 S

Abfallzeit:

11.9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5.2 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

33.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10.9 ns

Gewichtseinheit:

0.009184 oz

Tags

FCD90, FCD9, FCD