STB8NM60N

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

650 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

70 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.6 mm

Länge:

10.4 mm

Serie:

STx8NM60N

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.35 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

40 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

STB8NM, STB8N, STB8, STB