STD2HNK60Z-1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.8 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.75 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

11 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

45 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

SuperMESH

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.2 mm

Länge:

6.6 mm

Serie:

STD2HNK60Z-1

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.4 mm

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.5 S

Abfallzeit:

50 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

30 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

STD2HNK60Z-1, STD2H, STD2, STD